PN结的内建电场是指:
半导体的P区和N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,由于该电场存在于结合的半导体中,所以称为内建电场。
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PN结的内建电场是指:
半导体的P区和N区由于浓度差,引起N区电子向P区扩散,同样P区空穴也向N区扩散,扩散的结果,在交界面两侧留下不能移动的正负离子,它们之间相互作用,生成一个电场,方向由N区指向P区,由于该电场存在于结合的半导体中,所以称为内建电场。
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